Siliziumkarbid – Schlüsseltechnologie für effizientere Energiesysteme

 

Zum Thema Die Siliziumkarbidtechnologie ist das Material mit dem größten Potenzial und die Schlüsselkomponente für die Zukunft der Leistungselektronik. In diesem Seminar geht es um den Entwicklungsprozess von Siliziumkarbid – vom Rohmaterial bis zum fertigen Bauelement. Im Fokus stehen die physikalischen und thermischen Eigenschaften sowie die Vorteile der SiC-Technologie. Es folgt ein Vergleich zwischen SiC und der traditionellen Siliziumtechnologie. Darüber hinaus werden Anwendungsbeispiele für Automobil- und Industrieanwendungen aufgezeigt. Zudem wird im Rahmen des Seminars eine Analyse der verwendeten Leistungselektronik-Topologien veranschaulicht. Eine wesentliche Komponente für Leistungssysteme sind zum Beispiel die Gehäusetechnologien. Außerdem wird ein Beispiel für eine Systemkostenanalyse aufgezeigt. Als Ausblick werden am Ende des Seminars zukünftige Trends zusammengefasst.

 

Zielsetzung Ziel des Seminars ist: einen Überblick über den Entwicklungsprozess von SiC zu gewinnen ein Verständnis für die physikalischen Eigenschaften von SiC zu entwickeln den Nutzen auf System- und Anwendungsebene zu erforschen

Veranstaltungsort: Essen
Termin: 19.11.2024 – 19.11.2024
www.hdt.de/VA24-00788